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Supporto di superficie discreto TO-263AB del diodo 650 V 12A a semiconduttore di SCS212AJTLL ROHM

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xNumero del prodotto | SCS212AJTLL | Produttore | Semiconduttore di Rohm |
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Tecnologia | Sic (carburo di silicio) Schottky | Tensione - inverso di CC (Vr) (massimo) | 650 V |
Corrente - media rettificata (Io) | 12A | Tensione - di andata (Vf) (massimo) @ se | 1,55 V @ 12 A |
Velocità | Nessun tempo di recupero > 500mA (Io) | Tempo di recupero inverso (trr) | 0 n |
Corrente - perdita inversa @ Vr | µA 240 @ 600 V | Montaggio del tipo | Supporto di superficie |
Pacchetto/caso | TO-263-3, ² Pak (2 cavi + linguette) di D, TO-263AB | Temperatura di funzionamento - giunzione | 175°C (massimo) |
Evidenziare | SCS212AJTLL,Semiconduttore di SCS212AJTLL ROHM,Prodotti a semiconduttori discreti |
Supporto di superficie TO-263AB del diodo 650 V 12A di SCS212AJTLL
Scheda: SCS212AJTLL
Categoria | Singoli diodi |
Mfr | Semiconduttore di Rohm |
Stato del prodotto | Attivo |
Tecnologia | Sic (carburo di silicio) Schottky |
Tensione - inverso di CC (Vr) (massimo) | 650 V |
Corrente - media rettificata (Io) | 12A |
Tensione - di andata (Vf) (massimo) @ se | 1,55 V @ 12 A |
Velocità | Nessun tempo di recupero > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0 NS |
Corrente - perdita inversa @ Vr | µA 240 @ 600 V |
Montaggio del tipo | Supporto di superficie |
Pacchetto/caso | TO-263-3, ² Pak (2 cavi + linguette) di D, TO-263AB |
Pacchetto del dispositivo del fornitore | TO-263AB |
Temperatura di funzionamento - giunzione | °C 175 (massimo) |
Numero del prodotto di base | SCS212 |
CARATTERISTICHE:
Più breve tempo di recupero del ・
Il ・ ha ridotto la dipendenza della temperatura
Commutazione ad alta velocità del ・ possibile
Applicazioni
・ PFC amplificare topologia
Rettifica laterale secondaria del ・
・ Data Center
Condizionatori di potere di PV del ・
DataPicture: https://fscdn.rohm.com/en/products/databook/datasheet/discrete/sic/sbd/scs212aj-e.pdf