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FOSSA componente 100V di elettronica del transistor del diodo a semiconduttore di IPB0401NM5S
Numero del prodotto: | IPB0401NM5S |
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Produttore: | Infineon Technologies |
Categoria: | Singoli FETs, MOSFETs |
Prodotti a semiconduttori discreti IGBT NPT 600V 6 di FGD3N60UNDF 60W un supporto di superficie TO-252AA
Produttore: | onsemi |
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Categoria: | Singolo IGBTs |
Numero del prodotto: | FGD3N60UNDF |
Supporto di superficie SuperSOT™-6 di matrice CI 25V 680mA 460mA 700mW del Mosfet di potere di FDC6321C
Produttore: | onsemi |
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Categoria: | Il FET, MOSFET allinea |
Numero del prodotto: | FDC6321C |
Corrente alternata 96W TC DirectFET di N-Manica 40V 217 del transistor del diodo della resistenza di IRF7480MTRPBF isometrico ME
Categoria: | Singoli FETs, MOSFETs |
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Mfr: | Infineon Technologies |
Serie: | HEXFET®, StrongIRFET™ |
Supporto di superficie ATPAK di tum 60W TC del Mosfet 60 V 55A di P-Manica del transistor del diodo di ATP114-TL-H
Categoria: | Singoli FETs, MOSFETs |
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Mfr: | onsemi |
Tipo del FET: | P-Manica |
N-Manica del transistor e del tiristore del diodo di IPP65R110CFDA 650 V 31.2A TC 277.8W TC PG-TO220-3
Categoria: | Singoli FETs, MOSFETs |
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Mfr: | Infineon Technologies |
Serie: | Automobilistico, AEC-Q101, CoolMOS™ |
Foro PG-TO247-4-1 del diodo 1200 V 26A TC 115W TC Hrough del Mosfet di Manica di IMZ120R090M1H INFINEON N
Categoria: | Singoli FETs, MOSFETs |
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Mfr: | Infineon Technologies |
Serie: | CoolSiC |
Livello logico N 650V 31.2A TC 277.8W PG-TO220-3 del Mosfet di Manica di alto potere N di IPP65R110CFDA
Categoria: | Singoli FETs, MOSFETs |
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Mfr: | Infineon Technologies |
Serie: | Automobilistico, AEC-Q101, CoolMOS™ |
Supporto di superficie 8-SOIC di IC 100V 4.5A 2.5W di matrice del Mosfet di Manica di FDS3992 N
Produttore: | onsemi |
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Categoria: | Il FET, MOSFET allinea |
Numero del prodotto: | FDS3992 |
Transistor bipolare 450 V 30 A 200 W del diodo di BUF420AW BJT NPN attraverso il foro TO-247-3
Categoria: | Transistor bipolari - BJT |
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Mfr: | STMicroelectronics |
Tipo del transistor: | NPN |