• Shenzhen Zhaocun Electronics Co., Ltd.
    Signor Patrick
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  • Shenzhen Zhaocun Electronics Co., Ltd.
    Signor Harrison
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  • Shenzhen Zhaocun Electronics Co., Ltd.
    Anna
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Persona di contatto : will
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Porcellana FOSSA componente 100V di elettronica del transistor del diodo a semiconduttore di IPB0401NM5S

FOSSA componente 100V di elettronica del transistor del diodo a semiconduttore di IPB0401NM5S

Numero del prodotto: IPB0401NM5S
Produttore: Infineon Technologies
Categoria: Singoli FETs, MOSFETs
Porcellana Prodotti a semiconduttori discreti IGBT NPT 600V 6 di FGD3N60UNDF 60W un supporto di superficie TO-252AA

Prodotti a semiconduttori discreti IGBT NPT 600V 6 di FGD3N60UNDF 60W un supporto di superficie TO-252AA

Produttore: onsemi
Categoria: Singolo IGBTs
Numero del prodotto: FGD3N60UNDF
Porcellana Supporto di superficie SuperSOT™-6 di matrice CI 25V 680mA 460mA 700mW del Mosfet di potere di FDC6321C

Supporto di superficie SuperSOT™-6 di matrice CI 25V 680mA 460mA 700mW del Mosfet di potere di FDC6321C

Produttore: onsemi
Categoria: Il FET, MOSFET allinea
Numero del prodotto: FDC6321C
Porcellana Corrente alternata 96W TC DirectFET di N-Manica 40V 217 del transistor del diodo della resistenza di IRF7480MTRPBF isometrico ME

Corrente alternata 96W TC DirectFET di N-Manica 40V 217 del transistor del diodo della resistenza di IRF7480MTRPBF isometrico ME

Categoria: Singoli FETs, MOSFETs
Mfr: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®, StrongIRFET™
Porcellana Supporto di superficie ATPAK di tum 60W TC del Mosfet 60 V 55A di P-Manica del transistor del diodo di ATP114-TL-H

Supporto di superficie ATPAK di tum 60W TC del Mosfet 60 V 55A di P-Manica del transistor del diodo di ATP114-TL-H

Categoria: Singoli FETs, MOSFETs
Mfr: onsemi
Tipo del FET: P-Manica
Porcellana N-Manica del transistor e del tiristore del diodo di IPP65R110CFDA 650 V 31.2A TC 277.8W TC PG-TO220-3

N-Manica del transistor e del tiristore del diodo di IPP65R110CFDA 650 V 31.2A TC 277.8W TC PG-TO220-3

Categoria: Singoli FETs, MOSFETs
Mfr: Infineon Technologies
Serie: Automobilistico, AEC-Q101, CoolMOS™
Porcellana Foro PG-TO247-4-1 del diodo 1200 V 26A TC 115W TC Hrough del Mosfet di Manica di IMZ120R090M1H INFINEON N

Foro PG-TO247-4-1 del diodo 1200 V 26A TC 115W TC Hrough del Mosfet di Manica di IMZ120R090M1H INFINEON N

Categoria: Singoli FETs, MOSFETs
Mfr: Infineon Technologies
Serie: CoolSiC
Porcellana Livello logico N 650V 31.2A TC 277.8W PG-TO220-3 del Mosfet di Manica di alto potere N di IPP65R110CFDA

Livello logico N 650V 31.2A TC 277.8W PG-TO220-3 del Mosfet di Manica di alto potere N di IPP65R110CFDA

Categoria: Singoli FETs, MOSFETs
Mfr: Infineon Technologies
Serie: Automobilistico, AEC-Q101, CoolMOS™
Porcellana Supporto di superficie 8-SOIC di IC 100V 4.5A 2.5W di matrice del Mosfet di Manica di FDS3992 N

Supporto di superficie 8-SOIC di IC 100V 4.5A 2.5W di matrice del Mosfet di Manica di FDS3992 N

Produttore: onsemi
Categoria: Il FET, MOSFET allinea
Numero del prodotto: FDS3992
Porcellana Transistor bipolare 450 V 30 A 200 W del diodo di BUF420AW BJT NPN attraverso il foro TO-247-3

Transistor bipolare 450 V 30 A 200 W del diodo di BUF420AW BJT NPN attraverso il foro TO-247-3

Categoria: Transistor bipolari - BJT
Mfr: STMicroelectronics
Tipo del transistor: NPN
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