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Invertitore IC di TC7S04F TE85L F 1 selettore di canale IC Chip Digital Regulator SMV
Luogo di origine | Il Giappone |
---|---|
Marca | Toshiba Semiconductor and Storage |
Certificazione | RoHS |
Numero di modello | TC7S04F (TE85L, F) |
Quantità di ordine minimo | 3000pcs |
Prezzo | Negotiable |
Imballaggi particolari | 3000 PCS/Tape |
Tempi di consegna | 2-3 giorni |
Termini di pagamento | L/C, D/A, D/P, T/T |
Capacità di alimentazione | 15K PCS |

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xDettagli
Numero del prodotto | TC7S04F (TE85L, F) | Categoria | Portoni ed invertitori |
---|---|---|---|
Produttore | Semiconduttore e stoccaggio di Toshiba | Serie | TC7S |
Tipo di logica | Invertitore | Numero dei circuiti | 1 |
Numero degli input | 1 | Tensione - rifornimento | 2V ~ 6V |
Corrente - tranquillo (massimo) | 1 µA | Corrente - uscita alta, basso | 2.6mA, 2.6mA |
Livello logico introdotto - minimo | 0,5 V ~ 1,8 V | Livello logico introdotto - | 1.5V ~ 4.2V |
Ritardo di propagazione max @ V, CL max | 17ns @ 6V, 50pF | Temperatura di funzionamento | -40°C ~ 85°C |
Montaggio del tipo | Supporto di superficie | Pacchetto/caso | SC-74A, SOT-753 |
Evidenziare | Inverter IC 1 Switch IC Chip TC7S04F TE85L F,Inverter IC 1 Switch IC TC7S04F TE85L F,Inverter 1 Switch IC TC7S04F TE85L F |
Descrizione di prodotto
TC7S04F(TE85L,F) Inverter IC 1 canale SMV
Scheda dati:TC7S04F(TE85L,F)
Categoria | Gate e Inverter |
Mfr | Semiconduttore e storage Toshiba |
Serie | TC7S |
Stato del prodotto | Attivo |
Tipo di logica | Invertitore |
Tensione - Alimentazione | 2V ~ 6V |
Corrente - Quiescente (Max) | 1µA |
Corrente - Uscita alta, bassa | 2,6 mA, 2,6 mA |
Livello logico di ingresso - Basso | 0,5 V ~ 1,8 V |
Livello logico di ingresso - Alto | 1,5 V ~ 4,2 V |
Ritardo di propagazione max @ V, CL max | 17ns a 6V, 50pF |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMV |
Confezione/caso | SC-74A, SOT-753 |
Numero del prodotto di base | 7S08 |
Il TC7S04 è un inverter MOS C2 ad alta velocità fabbricato con tecnologia MOS C2 gate in silicio.
Raggiunge un funzionamento ad alta velocità simile all'LSTTL equivalente pur mantenendo la bassa dissipazione di potenza del MOS C2.
Il circuito interno è composto da 3 stadi inclusa l'uscita buffer, che consente un'elevata immunità al rumore e un'uscita stabile.
L'ingresso è dotato di circuiti di protezione contro le scariche statiche o sovratensioni transitorie.
Le correnti di uscita sono 1/2 rispetto ai modelli della serie TC74HC
Risorse addizionali:
ATTRIBUTO | DESCRIZIONE |
Altri nomi | TC7S04F(TE85L,F) |
TC7S04FLFDKR | |
TC7S04F(T5LFT)CT | |
TC7S04F(T5LFT)DKR-ND | |
TC7S04FT5LFT | |
TC7S04FTFTR | |
TC7S04FTCT-NDR | |
TC7S04F(T5LFT)TR | |
TC7S04F(TE85LF)TR-ND | |
TC7S04F(T5LFT)CT-ND | |
TC7S04FTTR-NDR | |
TC7S04F(T5LFT)TR-ND | |
TC7S04F,LF(T | |
TC7S04F(TE85LF)CT | |
TC7S04F(TE85LF)CT-ND | |
TC7S04F(TE85LF)DKR-ND | |
TC7S04F(TE85LF)TR | |
TC7S04FTFDKR | |
TC7S04FTFDKR-ND | |
TC7S04F,LF(B | |
TC7S04FLTR | |
TC7S04F(T5L,F,T) | |
TC7S04F (T5L,F,T) | |
TC7S04F(T5LFT)DKR | |
TC7S04FTFCT | |
TC7S04FTFCT-ND | |
TC7S04F(TE85LF)DKR | |
TC7S04FTFTR-ND | |
TC7S04FLCT | |
Pacchetto standard | 3000 |
Caratteristiche
• Alta velocità: tpd = 7 ns (tip.) a VCC = 5 V
• Bassa dissipazione di potenza: ICC = 1 μA (max) a Ta = 25°C
• Elevata immunità ai disturbi: VNIH = VNIL = 28% VCC (min)
• Capacità di azionamento in uscita: 5 carichi LSTTL
• Impedenza di uscita simmetrica: |IOH|= IOL = 2 mA (min)
• Ritardi di propagazione bilanciati: tpLH ∼− tpHL
• Ampio range di tensione operativa: VCC (opr) = da 2 a 6 V
Immagine dei dati:


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