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Memoria istantanea EEPROM 512Kbit SPI di 25LC512T-I/SN CI 20 megahertz 8-SOIC

Luogo di origine L'America
Marca MICROCHIP
Certificazione RoHS
Numero di modello 25LC512T-I/SN
Quantità di ordine minimo 3300 PCS
Prezzo Negotiable
Imballaggi particolari 3300 PCS/Tape
Tempi di consegna 2-3 giorni
Termini di pagamento L/C, D/A, D/P, T/T
Capacità di alimentazione 6K PCS

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Dettagli
Categoria Memoria Mfr Tecnologia del microchip
Pacchetto Nastro & nastro della bobina (TR) /Cut (CT) Tipo di memoria Non volatile
Formato di memoria EEPROM Tecnologia EEPROM
Capacità di memoria 512Kbit Organizzazione di memoria 64K x 8
Interfaccia di memoria SPI Frequenza di clock 20 megahertz
Tensione - rifornimento 2.5V ~ 5.5V Temperatura di funzionamento -40°C ~ 85°C (TUM)
Evidenziare

eeprom istantaneo di CI

,

MEMORIA FLASH DI IC

,

scheda 25lc512t-i/sn

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Descrizione di prodotto

Memoria IC 512Kbit SPI di 25LC512T-I/SN EEPROM 20 megahertz 8-SOIC

Descrizione:

Il Microchip la Technology Inc. 25LC512 è 512 una memoria di serie di Kbit EEPROM con livello del byte e livello della pagina

funzioni di serie di EEPROM. Inoltre caratterizza la pagina, settore ed il chip cancella le funzioni connesse tipicamente con basato a flash

prodotti. Queste funzioni non sono richieste per il byte o la pagina scrive le operazioni. La memoria è raggiunta via una pubblicazione periodica semplice

Bus seriale compatibile periferico dell'interfaccia (SPI). I segnali del bus richiesti sono un input di orologio (SCK) più i dati separati in (SI)

e di dati linee fuori (COSÌ). Access al dispositivo è controllato da un input di Chip Select (CS).

 

Dettaglio rapido:

Produttore
Tecnologia del microchip
Produttore Product Number
25LC512T-I/SN
Descrizione
IC EEPROM 512KBIT SPI 8SOIC
Descrizione dettagliata
Memoria IC 512Kbit SPI di EEPROM 20 megahertz 8-SOIC

 

Attributi di prodotto:

TIPO
DESCRIZIONE
Categoria
Memoria
Mfr
Tecnologia del microchip
Stato del prodotto
Attivo
Digi-chiave programmabile
Verificato
Tipo di memoria
Non volatile
Formato di memoria
EEPROM
Tecnologia
EEPROM
Capacità di memoria
512Kbit
Organizzazione di memoria
64K x 8
Interfaccia di memoria
SPI
Frequenza di clock
20 megahertz
Scriva a ciclo la parola del tempo, pagina
5ms
Tensione - rifornimento
2.5V ~ 5.5V
Temperatura di funzionamento
-40°C ~ 85°C (TUM)
Montaggio del tipo
Supporto di superficie
Pacchetto/caso
8-SOIC (0,154", larghezza di 3.90mm)
Pacchetto del dispositivo del fornitore
8-SOIC
Numero del prodotto di base
25LC512

 

Risorse supplementari:

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Altri nomi
25LC512TISN
25LC512T-I/SNDKR
25LC512T-I/SNTR
25LC512T-I/SNCT
Imballaggio di serie 3300

Caratteristiche

• 20 megahertz di velocità di clock massima

• Il byte e livelli della pagina scrivono le operazioni:

- pagina 128-byte

- un massimo di 5 spettrografie di massa.

- Nessuna pagina o settore cancella richiesto

• Tecnologia CMOS a bassa potenza:

- Max. Write Current: 5 mA a 5.5V, 20 megahertz

- Corrente colto: 10 mA a 5.5V, 20 megahertz

- Corrente standby: 1  A a 2.5V (powerdown profondo)

• Firma elettronica per l'identificazione del dispositivo

• Auto-cronometrato cancelli e scriva i cicli:

- La pagina cancella (spettrografia di massa 5, tipiche)

- Il settore cancella (10 ms/sector, tipici)

- La massa cancella (spettrografia di massa 10, tipiche)

• Il settore scrive la protezione (byte 16K/settore):

- Non ne protegga, 1/4, 1/2 o tutta la matrice

• L'accessorio scrive la protezione:

- Acceso/fuori dai circuiti di protezione dei dati

- Write permettere al fermo

- Protegga da scrittura il perno

• Alta affidabilità:

- Resistenza: 1 milione cancella/per scrivere i cicli

- Conservazione di dati: anni >200

- Protezione di ESD: >4000V

• Le gamme di temperature hanno sostenuto:

- (i) industriale: -40°C a +85°C

- Esteso (E): -40°C a +125°C

• RoHS compiacente

• AEC-Q100 automobilistico si è qualificato

Immagine di dati:

Memoria istantanea EEPROM 512Kbit SPI di 25LC512T-I/SN CI 20 megahertz 8-SOIC 0