STM32H743ZGT6 il Unico centro 480MHz 144-LQFP ISTANTANEO 20x20 di 1MB 1M x 8 di 32 bit di IC del microcontroller del BRACCIO Cortex-M7 STM32H7)

Il Unico centro di 32 bit di IC del microcontroller di STM32H743ZGT6 ARM® Cortex®-M7 STM32H7 480MHz 1MB (1M x 8) 144-LQFP ISTANTANEO (20x20)

Scheda: STM32H743ZGT6

Memorie

•Fino a 2 MBYTE della memoria flash con readwhile-scrivono il supporto

• Fino a 1 MBYTE di RAM: 192 kbyte di TCM RAM (inc 64 kbyte di ITCM RAM + 128 kbyte di DTCM RAM per le routine critiche di tempo), fino a 864 kbyte dell'utente SRAM e 4 kbyte di SRAM nel dominio di sostegno

• Interfaccia effettuata in due modi di memoria di Quadrato-SPI che esegue fino a 133 megahertz

• Regolatore esterno flessibile di memoria con fino al canale omnibus di dati di 32 bit: SRAM, PSRAM, SDRAM/LPSDR SDRAM, memoria flash di NOR/NAND ha cronometrato fino a 100 megahertz nel modo sincrono

• Unità di calcolo di CRC

Risistemazione e gestione di potere

• 3 dominii separati di potere che possono orologio-essere gated o commutati indipendente fuori:

– D1: capacità ad alto rendimento

– D2: unità periferiche e temporizzatori di comunicazione

– D3: controllo orologio/risistemata/gestione di potere

• rifornimento di applicazione di 1,62 - 3,6 V e I/Os

• POR, PDR, PVD e BOR

• Potere dedicato di USB che incastona un regolatore interno di 3,3 V per fornire il PHYs interno

• Regolatore incastonato (LDO) con uscita evolutiva configurabile per fornire i circuiti digitali

• Rappresentazione in scala di tensione nel modo di arresto e di funzionamento (6 gamme configurabili)

• Regolatore di sostegno (~0,9 V)

• Riferimento di tensione per peripheral/VREF+ analogico

• Modi a bassa potenza: Sonno, fermata, appoggio e basso consumo energetico caricantesi sostenente della batteria di VBAT

• Modo operativo della batteria di VBAT con caricare capacità

• Stato di potere di dominio e del CPU che controlla i perni

• µA 2,95 nella modalità standby (SRAM di sostegno FUORI, RTC/LSE SOPRA)

Immagine di dati: