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Supporto di superficie ATPAK di tum 60W TC del Mosfet 60 V 55A di P-Manica del transistor del diodo di ATP114-TL-H

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xCategoria | Singoli FETs, MOSFETs | Mfr | onsemi |
---|---|---|---|
Tipo del FET | P-Manica | Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) |
Vuoti a tensione di fonte (Vdss) | 60 V | Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C | 55A (tum) |
Tensione di controllo (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V | RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs | 16mOhm @ 28A, 10V |
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs | 92 nC @ 10 V | Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds | 4000 PF @ 20 V | Dissipazione di potere (massima) | 60W (TC) |
Temperatura di funzionamento | 150°C (TJ) | Montaggio del tipo | Supporto di superficie |
Pacchetto del dispositivo del fornitore | ATPAK | Pacchetto/caso | ATPAK (2 Leads+Tab) |
Evidenziare | Mosfet a canale P 60 V 55 A Ta 60 W Tc ATP114-TL-H,Mosfet a canale P 60 V Ta 60 W Tc ATP114-TL-H,Mosfet a canale P 60 V Ta 60 W ATP114-TL-H |
ATP114-TL-H Canale P 60 V 55 A (Ta) 60 W (Tc) A montaggio superficiale ATPAK
Caratteristiche:ATP114-TL-H
Categoria | FET singoli, MOSFET |
Mfr | onsemi |
Tipo FET | Canale P |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) |
Tensione drain-source (Vdss) | 60 V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C | 55A (Ta) |
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 28A, 10V |
Carica di Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 92 nC @ 10 V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4000 pF a 20 V |
Dissipazione di potenza (massima) | 60W (TC) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
Pacchetto dispositivo fornitore | ATPAK |
Confezione/caso | ATPAK (2 derivazioni+scheda) |
Numero del prodotto di base | ATP114 |
Risorse addizionali
ATTRIBUTO | DESCRIZIONE |
Altri nomi | ATP114-TL-HOSDKR |
ATP114-TL-HOSTR | |
ATP114-TL-H-ND | |
ATP114-TL-HOSCT | |
Pacchetto standard | 3000 |
Immagine dei dati:https://www.mouser.cn/datasheet/2/308/1/ATP114_D-2310176.pdf
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