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Prodotti a semiconduttori discreti IGBT NPT 600V 6 di FGD3N60UNDF 60W un supporto di superficie TO-252AA

Luogo di origine Gli Stati Uniti
Marca onsemi
Certificazione RoHS
Numero di modello FGD3N60UNDF
Quantità di ordine minimo 2500pcs
Prezzo Negotiable
Imballaggi particolari 2500PCS/Tape
Tempi di consegna 2-3 giorni
Termini di pagamento L/C, D/A, D/P, T/T
Capacità di alimentazione 2.5K PCS

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Dettagli
Produttore onsemi Categoria Singolo IGBTs
Numero del prodotto FGD3N60UNDF Tipo IGBT NPT
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) 600 V Corrente - collettore (CI) (massimo) 6A
Corrente - collettore pulsato (Icm) 9A Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI 2.52V @ 15V, 3A
Massimo elettrico 60W Energia di commutazione 52µJ (sopra), 30µJ (fuori)
Tipo introdotto Norma Tassa del portone 1,6 nC
Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C 5.5ns/22ns Condizione di prova 400V, 3A, 10Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) 21 NS Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie Pacchetto/caso TO-252-3, DPak (2 cavi + linguette), SC-63
Pacchetto del dispositivo del fornitore TO-252AA
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FGD3N60UNDF

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Prodotti a semiconduttori discreti

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Diodo e transistor

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Descrizione di prodotto

Supporto di superficie TO-252AA di FGD3N60UNDF IGBT NPT 600 V 6 A 60 W

 

Scheda: FGD3N60UNDF

Categoria Singolo IGBTs
Mfr onsemi
Stato del prodotto Obsoleto
Tipo di IGBT NPT
Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) 600 V
Corrente - collettore (CI) (massimo) 6 A
Corrente - collettore pulsato (Icm) 9 A
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI 2.52V @ 15V, 3A
Massimo elettrico 60 W
Energia di commutazione 52µJ(sopra),30µJ(fuori)
Tipo introdotto Norma
Tassa del portone 1,6 nC
°C 25 del TD (inserita/disinserita) @ 5.5ns/22ns
Condizione di prova 400V, 3A, 10Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) 21 NS
Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaggio del tipo Supporto di superficie
Pacchetto/caso TO-252-3, DPak (2 cavi + linguette), SC-63
Pacchetto del dispositivo del fornitore TO-252AA
Numero del prodotto di base FGD3N60

Risorse supplementari

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Altri nomi FGD3N60UNDFCT
  FGD3N60UNDFTR
  FGD3N60UNDFDKR
Imballaggio di serie 2500

 

 

 

Immagine di dati: https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/fgd3n60undf-d.pdf
Prodotti a semiconduttori discreti IGBT NPT 600V 6 di FGD3N60UNDF 60W un supporto di superficie TO-252AA 0