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FOSSA componente 100V di elettronica del transistor del diodo a semiconduttore di IPB0401NM5S

Luogo di origine Infineon Technologies
Marca INFINEON
Certificazione RoHS
Numero di modello IPB0401NM5S
Quantità di ordine minimo 1000 pc
Prezzo Negotiable
Imballaggi particolari 1000 PCS/Tape
Tempi di consegna 2-3 giorni
Termini di pagamento L/C, D/A, D/P, T/T
Capacità di alimentazione 20K PCS

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Dettagli
Numero del prodotto IPB0401NM5S Produttore Infineon Technologies
Categoria Singoli FETs, MOSFETs Temperatura di funzionamento minima -30C
Temperatura di funzionamento massima 125C Tensione di rifornimento minima 3.5V
Tensione di rifornimento massima 8V Lunghezza 1,3 millimetri
Larghezza 4,8 millimetri altezza 1.7mm
Evidenziare

Semiconduttori TRENCH 100V IPB0401NM5S

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100V Semiconduttori TRENCH IPB0401NM5S

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IPB0401NM5S 100V Semiconduttori TRENCH

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Descrizione di prodotto

IPB0401NM5S TRINCEA >=100V

 

Caratteristiche del prodotto:

Marca INFINEON/Infineon
Modello IPB0401NM5S
RoHS
Categoria di prodotto Componenti elettronici
Temperatura minima di esercizio -30°C
Temperatura massima di esercizio 125C
Tensione minima di alimentazione 3,5 V
Tensione di alimentazione massima 8v
Lunghezza 1,3 mm
Larghezza 4,8 mm
Altezza 1,7 mm

 

Immagine dei dati:

FOSSA componente 100V di elettronica del transistor del diodo a semiconduttore di IPB0401NM5S 0