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Fermata di campo della fossa a semiconduttore IGBT di RGS80TSX2DHRC11 TO-247N ROHM 1200 V 80 A 555 W
| Luogo di origine | Il Giappone |
|---|---|
| Marca | ROHM |
| Certificazione | RoHS |
| Numero di modello | RGS80TSX2DHRC11 |
| Quantità di ordine minimo | 30 PCS |
| Prezzo | Negotiable |
| Imballaggi particolari | 30 PCS/Tube |
| Tempi di consegna | 2-3 giorni |
| Termini di pagamento | L/C, D/A, D/P, T/T |
| Capacità di alimentazione | 6K PCS |
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xDettagli
| Categoria | Singolo IGBTs | Mfr | Semiconduttore di Rohm |
|---|---|---|---|
| Pacchetto | Metropolitana | Tipo IGBT | Fermata del campo di trincea |
| Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima) | 1200 V | Corrente - collettore (CI) (massimo) | 80 A |
| Corrente - collettore pulsato (Icm) | 120 A | Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI | 2.1V @ 15V, 40A |
| Massimo elettrico | 555 W | Tipo introdotto | Norma |
| Tassa del portone | 104 nC | Condizione di prova | 600V, 40A, 10Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 198 NS | Temperatura di funzionamento | -40°C ~ 175°C |
| Montaggio del tipo | Attraverso il foro | Pacchetto del dispositivo del fornitore | TO-247N |
| Evidenziare | RGS80TSX2DHRC11,Fermata di campo della fossa di IGBT,rohm di to-247n |
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Descrizione di prodotto
Fermata di campo della fossa di RGS80TSX2DHRC11 IGBT 1200 V 80 A 555 W attraverso il foro TO-247N
Caratteristiche:
●Collettore basso - tensione di saturazione dell'emettitore
●Il cortocircuito resiste al tempo 10μs
●Qualificato a AEC-Q101
●Costruito nel recupero veloce & morbido stesso FRD
●Pb - placcatura libera del cavo; RoHS compiacente
Descrizione:
Fossa IGBTs automobilistico di arresto di campo di RGS
La fossa IGBTs automobilistico di arresto del giacimento a semiconduttore RGS di ROHM è AEC-Q101 IGBTs automobilistico stimato quello
sono nel 1200 le varianti disponibili V e 650V. Questo IGBTs consegna la perdita bassa classe-principale della conduzione che contribuisce
alla riduzione della dimensione ed a migliorare l'efficienza delle applicazioni. I RGS IGBTs utilizzano il fossa-portone originale e
tecnologie del sottile-wafer. Queste tecnologie contribuiscono a raggiungere la tensione di saturazione bassa dell'collettore-emettitore (VCE (si è seduto)) con
perdite di commutazione ridutrici. Questo IGBTs fornisce i risparmi energetici aumentati in vari ad alta tensione ed a corrente forte
applicazioni.
Dettaglio rapido:
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Produttore
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Semiconduttore di Rohm
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Produttore Product Number
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RGS80TSX2DHRC11
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Descrizione
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FOSSA FLD 1200V 80A TO247N di IGBT
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Descrizione dettagliata
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Fermata di campo della fossa di IGBT 1200 V 80 A 555 W attraverso il foro TO-247N
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Attributi di prodotto:
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TIPO
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DESCRIZIONE
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Categoria
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Singolo IGBTs
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|
Mfr
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Semiconduttore di Rohm
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Stato del prodotto
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Attivo
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Tipo di IGBT
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Fermata di campo della fossa
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Tensione - ripartizione dell'emettitore del collettore (massima)
|
1200 V
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|
Corrente - collettore (CI) (massimo)
|
80 A
|
|
Corrente - collettore pulsato (Icm)
|
120 A
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|
Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI
|
2.1V @ 15V, 40A
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Massimo elettrico
|
555 W
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Energia di commutazione
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3mJ (sopra), 3.1mJ (fuori)
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Tipo introdotto
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Norma
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Tassa del portone
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104 nC
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Il TD (inserita/disinserita) @ 25°C
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49ns/199ns
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Condizione di prova
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600V, 40A, 10Ohm, 15V
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Tempo di recupero inverso (trr)
|
198 NS
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Temperatura di funzionamento
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-40°C ~ 175°C (TJ)
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Montaggio del tipo
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Attraverso il foro
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Pacchetto/caso
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TO-247-3
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Pacchetto del dispositivo del fornitore
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TO-247N
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Numero del prodotto di base
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RGS80
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Risorse supplementari:
| ATTRIBUTO | DESCRIZIONE |
| Altri nomi | 846-RGS80TSX2DHRC11 |
| Imballaggio di serie | 30 |
Immagine di dati: https://fscdn.rohm.com/en/products/databook/datasheet/discrete/igbt/rgs80tsx2dhr-e.pdf
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